Thứ ba – 22/01/2013 13 : 18Trong bất kể nguồn Blocking hay Switching thì Xung ngược sinh ra thường lớn gấp 3 đến 10 lần so với Xung thuận vì thế transistor thao tác trong điều kiện kèm theo rất “ nguy khốn ” vì có nhiều yếu tố rất phức tạp :
· Kháng bão hoà:
Hiện tượng kháng bão hoà của biến áp là một trong những trường hợp nguy hiểm nhất đối với cả biến áp và cả transistor. Các cuộn dây của biến áp bị bão hoà kháng do một trong ba nguyên nhân:
–Bị quá tảiB: Do tải tiêu thụ quá mạnh vượt quá công suất cho phép của biến áp thì kháng trở của các cuộn biến áp cũng sẽ bị suy giảm đột ngột;
– Do tần số thấp: Dòng điện đưa vào cuộn dây có tần số nhỏ hơn tần số làm việc cho phép của biến áp làm giảm kháng trở của cuộn dây;
– Do sườn xung “dừng” quá dài: Việc kéo dài trạng thái biên độ cực đại của dòng điện xung đưa vào cuộn L1 cũng sẽ làm cho cuộn L1 bị bão hoà vì sau một khoảng thời gian nhất định sau khi cuộn L1 đáp ứng kháng trở để chống lại sự tăng đột ngột biên độ của xung thì nó sẽ ngừng lại và sẽ đột ngột suy giảm trở kháng về 0. Lúc này, transistor sẽ bị rơi vào tình trạng ngắn mạch tải (tải của Q1 là cuộn L1 của biến áp) và có nguy cơ bị đánh hỏng do làm việc quá công suất.
Do đó, quy trình kích thích để làm cho Q1 bão hoà sớm nhằm mục đích giảm tổn thất nguồn năng lượng trên Q1 được xác lập sao cho sườn xung dài nhất không vượt quá khoảng chừng thời hạn cảm kháng được cho phép của L1 : Trong khoảng chừng thời hạn này L1 vẫn duy trì được cảm kháng để chống lại sự biến thiên của dòng điện và điện áp .Ta hãy nghiên cứu và phân tích và lý giải kỹ hiện tượng kỳ lạ này như sau : Nếu phân phối cho cuộn L1 một xung vuông thì lúc khởi đầu do xung Open bất thần nên hoàn toàn có thể nói rằng xung đó đã gây nên một biến thiên bất ngờ đột ngột về điện áp từ giá trị ban đâu bằng 0V cho tới giá trị biên đỉnh của xung nên ngay lúc đầu cuộn dây L1 sẽ sinh ra một suất điện động cảm ứng chống lại sự tăng bất ngờ đột ngột của điện áp xung và được xác lập bởi :
E = – L1.di/dt
Khi đó ta có thể biểu thị cuộn L1 như một nguồn phát điện với suất điện động là E, nên ta có thể rút gọn sơ đồ mạch điện thành một mạch có hai nguồn điện song song và áp dụng định luật Kirshoff đối với giá trị điện áp tức thời cho mạch điện này như sau:
Khi cuộn L1 được cung ứng một xung có điện áp là VCC thì nó sẽ tạo ra một dòng điện khởi đầu i qua L1 :
i = VCC/ (ZL1 + ZBat )
Trong đó, ZL1 : Trở kháng của cuộn L1, ZBat : Trở kháng của nguồn VCC .Khi đó i sẽ sinh ra suất điện động cảm ứng lên L1 theo hệ thức nói trên sao cho nó chống lại sự “ xâm nhập ” của dòng điện từ nguồn cung ứng của VCC. Vì thế, hai điện áp được tạo bởi VCC và của L1 là E sẽ có giá trị khác nhau nhưng có cùng chiều ( để chống lại sự tăng trưởng của dòng điện i qua mạch ) nên cường độ dòng điện qua mạch sẽ dược xác lập bởi :
i = (VCC – E)/(ZL1 + ZBat )
Khi đó, nếu E < VCC thì i sẽ đi từ nguồn VCC vào L1. Ngược lại, nếu E > VCC thì i sẽ đi ngược từ L1 qua nguồn V CC .Nếu điện áp của xung VCC biến thiên càng nhanh thì sự biến thiên của i cũng sẽ càng lớn nên E cũng sẽ càng lớn và hoàn toàn có thể lớn hơn VCC và làm cho trở kháng tương tự của toàn mạch được xác lập bởi :
Z = VCC/i > (ZL1 + ZBat)
Khi thời hạn sống sót của xung càng dài thì cường độ dòng điện i qua L1 sẽ càng tăng bởi :
i = – òE.dt/L1 » – òVCC.dt/L1
Cho đến thời gian i dạt giá trị cực lớn ( bão hoà ) bằng I thì cường độ dòng điện sẽ không biến thiên ( vì đã đạt cực lớn nên không hề tăng thêm nữa ) nên suất điện động cảm ứng của L1 bị triệt tiêu. Khi đó, dòng điện qua mạch không còn bị cảm kháng của L ảnh hưởng tác động ( nhiều điều tra và nghiên cứu đã chứng tỏ được rằng cảm kháng chỉ có tính năng khi cường độ dòng điện qua nó biến thiên do nó sinh ra suất điện động cảm ứng để chống lại sự biến thiên của dòng điện qua nó ) tức là trở kháng của L1 bị triệt tiêu vì vậy L1 chỉ còn thuần trở RL1 của cuộn dây mà thôi .Vì thuần trở của L1 là rất bé ( chỉ dưới 1 W ) nên lúc này cường độ dòng điện sẽ tăng vọt và sẽ làm đoản mạch so với L1 ( trạng thái tăng vọt cường độ cũng sẽ được tạo bởi vài quy trình tiến độ quá độ do khi cường độ dòng điênj từ trạng thái bão hoà chuyển sang trạng thái tăng vọt thực sự cũng sẽ tạo nên sự biến thiên mạnh của cường độ dòng điện và làm cho L1 lại hoàn toàn có thể sinh ra suất điện động cảm ứng nhưng lúc này vì dòng điện này quá mạnh nên nó sẽ làm cho cuộn L1 bị quá tải và suất điện động do nó sinh ra không đủ để chống lại sự tăng dòng nói trên ) .Như vậy, đây là trường hợp nguy khốn nhất so với mạch nguồn Blocking cũng như cho cả những mạch nguồn Switching sau này .· { C } { C }
{C}{C}Xung ngược{ C } { C }
Xung ngược là một trong những vấn đề nan giải đối với các mạch điện có dòng điện biến thiên khi đi qua các phần tử 
có tính cảm kháng bởi nó luôn sinh ra trên các phần tử có tính cảm kháng một suất điện động tự cảm rất lớn và độ dài xung rất ngắn mà từ đó có khả năng gây nên một hiện tượng được gọi là “hiệu ứng xuyên tiếp giáp” làm cho năng lượng của nó có thể xâm nhập qua các tiếp giáp bán dẫn một cách rất dễ dàng và có thể đánh thủng các tiếp giáp vì trị tức thời của biên độ xung quá cao… không những vậy, các xung ngược có khả năng gây hài rất mạnh nên nó là nguyên nhân gây nên nhiễu loạn điện từ cho nhiều thiết bị điện tử.
Vì thế, người ta cần phải triệt bỏ năng lượng của xung ngược sao cho càng “sạch” thì càng tốt. Thế nhưng do như đã từng lý luận nói trên, người ta vẫn phải chấp nhận sự tồn tại của nó và cũng chỉ triệt bỏ được phần nào. Về cơ bản, người ta chỉ mong muốn triệt bớt biên độ (hay năng lượng trung bình) của các xung ngược mà thôi.
Có nhiều giải pháp để triệt tiêu bớt biên độ của xung ngược :– Có thể dùng xung ngược để phân phối nguồn năng lượng cho 1 số ít trường hợp sử dụng với yều hiệu suất rất nhỏ ( với cường độ dòng điện cần sử dụng rất nhỏ, cỡ vài chục mA trở xuống ) hoặc với nhu yếu về độ không thay đổi điện áp không cao …– Thiết lập mạch triệt xung ngược :Mạch triệt xung ngược của nguồn Blocking rất đơn thuần chỉ gồm một tụ C3 và điện trở R3. Bởi vì ta đều biết rằng xung ngược có thời hạn rất ngắn tương ứng với một tần số xung động rất cao được xác lập bởi :
fInv Pulse = 1/2t
Trong đó, t : Thời gian sống sót của xung ngược, thường vào khoảng chừng vài mS đến vài chục mS .Khi đó, trở kháng của tụ C3 so với xung ngược sẽ rất bé và được xác lập bởi :
ZC3 = 1/w.C3 = 1/2p.f.C3 = t/4p.C3
Nên khi đó, phần nhiều nguồn năng lượng của xung ngược sẽ thoát qua tụ C3 để xuống âm nguồn. Điện trở R3 được ghép với tụ C3 để tạo hằng số thời hạn C3. R3 tương ứng với hằng thời hạn t của xung ngược .
Chú ý: Trong tất cả các mạch dao động hoặc là các mạch điện có xung điện áp (có dòng điện không sin) có tải là biến áp hoặc là cảm kháng thì nhất thiết cần phải có mạch dập xung ngược ít nhất là bằng một tụ điện được xác định theo hằng số thời gian của chu kỳ xung ngược. Nếu không có tụ dập xung ngược này thì không những transistor mà các diode đều bị nóng rất nhanh và có thể dẫn đến bị đánh thủng và bị phá hỏng. Không những thế, hiệu suất nguồn cũng rất thấp vì cường độ dòng điện tiêu thụ trở nên rất lớn.
Tuy nhiên, so với nguồn Blocking, vì sự biến thiên của di / dt không phải quá lớn ( như đã nghiên cứu và phân tích trên đâyn, biên dạng của dòng điện có dạng gần với một hình sin nên vận tốc biến thiên của di / dt không quá lớn mà thế cho nên biên độ xung ngược sinh ra cũng không quá cao ), cho nên vì thế mạch triệt xung ngược so với nguồn Blocking không yên cầu phải quá phức tạp. Còn so với nguồn Switching ( sẽ được trình diễn ở chương sau ) thì do sự biến thiên của cường độ dòng điện rất bất thần tạo hai thời gian tăng và giảm ( tăng tức thời và giảm cũng tức thời ) nên vận tốc biến thiên của di / dt cực lớn mà vì thế xung ngược của nguồn Switching có biên độ rất cao ( lớn hơn so với xung ngược của Blocking tới 3 ¸ 5 lần ) .
· {C}Biên độ xung kích
Như đã trình diễn ở những phần trên, biên độ xung kích hay còn gọi là xung phản hồi dương để tạo giao động tự kích cũng là một yếu tố rất quan trọng. Nó xác lập không những cả về hiệu suất được cho phép cung ứng cho tải mà cả về độ bảo đảm an toàn cho cả mạch nguồn …
Theo những mạch nói trên, ta thấy rằng, điện áp xung kích đưa về hồi tiếp dương từ cuộn hồi tiếp L2 gần như ảnh hưởng tác động trực tiếp vào Base của Q1 .
Trên thực tế, mỗi vòng của các cuộn dây của biến áp xung luôn đạt được vào khoảng 1,2 ¸ 1,5VP – P đối với xung thuận và khoảng 5 ¸ 7VP – P đối với xung ngược và cuộn hồi tiếp dương để kích dao động cho mạch là khoảng 3 ¸ 4 vòng nên điện áp hồi tiếp dương theo chiều thuận tác động vào Base của transistor đã lên tới khoảng 6VP – P rất nguy hiểm cho transistor nếu khi mạch nguồn có công suất rất lớn. Với điện áp này và nếu với công suất của biến áp xung rất lớn (cỡ trên một chục Watt trở lên) thì nó có thể đánh thủng tiếp giáp B – E của transistor (vì điện áp làm việc của tiếp giáp B – E chỉ cho phép dưới 1VDC).
Để hạn chế mức biên của điện áp hồi tiếp dương thì cần phải thiết lập thêm một điện trở R4 ( làm điện trở ghánh cho tiếp giáp B – E của Q1 ) tiếp nối đuôi nhau với tụ hồi tiếp dương kích giao động C1 để làm giảm biên độ xung sao cho biên độ điện áp đặt vào tiếp giáp B – E luôn được xác lập không quá 1VP – P ¸ 2,5 VP – P .Khi đó, vì điện trở R6 làm giảm nguồn năng lượng hồi tiếp về cho Q1 nên tụ C1 cần phải được tăng điện dung ( trong những mạch đơn thuần, tụ C1 có trị số vào khoảng chừng 10 nF ) để bảo vệ cho cường độ của dòng điện hồi tiếp không bị đổi khác .Ngoài ra, để thoát những thành phần hài bậc cao do những suất điện động cảm ứng của những cuộn biến áp xung gây ra, cần thiết lập một hệ mạch gồm tụ C5, R5 để triệt bớt những nguồn năng lượng hài bậc cao. Khi tụ C5 được ghép thêm vào mạch thì thông số kỹ thuật cộng hưởng của mạch sẽ bị biến hóa :Theo mạch nói trên ta thấy rằng vì C5 tiếp nối đuôi nhau với C1 nên mạch cộng hưởng được tạo bởi C1. R6. C5. R5. L2 sẽ bị giảm điện dung, cho nên vì thế người ta phải tăng trị số điện dung của tụ C1 lên để bảo vệ thông số ghép cộng hưởng không bị đổi khác thông số kỹ thuật. Kết hợp với việc phân phối về cường độ dòng điện hồi tiếp như vừa được đề cập trên đây, trên thực tiễn C1 thường có giá trị khoảng chừng 100 nF .
· {C}Dòng kích thích ban đầu
Dòng kích thích bắt đầu IB0 chính là dòng định thiên hay còn được gọi là dòng phân cực khởi đầu để transistor cũng như mạch điện hoàn toàn có thể thao tác. Bằng kim chỉ nan cũng như trên trong thực tiễn hoàn toàn có thể xác lập được được dòng này vào khoảng chừng 1 ¸ 2 mA. Vì thế, nếu mạch nguồn được phong cách thiết kế cho nguồn cung ứng là VCC thì điện trở phân cực R1 được xác lập sao cho :
IB0 = VCC/R1 = 1¸ 2 mA
· {C}Tần số dao động
Đối với nguồn Blocking, sự điều chỉnh điện áp ra hoàn toàn tuân thủ vào sự thay đổi của tần số dao động của nguồn.
Thật vậy, khi tần số của nguồn bị đổi khác thì cảm kháng của những cuộn dây của biến áp xung cũng bị biến hóa theo và được xác lập bởi :
ZL = w.L = 2p.f.L
Điều đó có nghĩa là nếu tần số dao động của nguồn tăng thì ngay cả cuộn sơ cấp L1 cũng bị tăng cảm kháng và cả cuộn thứ cấp cũng bị tăng theo nên khi cảm kháng sơ cấp tăng thì lẽ dĩ nhiên là dòng cung cấp qua cuộn sơ cấp L1 sẽ bị giảm xuống và đối với cuộn thứ cấp thì khi bị tăng cảm kháng sẽ làm cho sụt áp nội tại trên thứ cấp tăng và sẽ làm cho điện áp mạch ngoài bị giảm.
