MOSFET 20N60

Mô tả chi tiết

Tải về datasheet IRF 20N60

    Thông số kỹ thuật:

        Điện áp đánh thủng là 600V.

Điện áp V_GS = +/-20V

Dòng chịu đựng trung bình là 20A.

Nhiệt độ hoạt động: -55^oC ~ 150^oC.

Công suất: 370W

Mosfet 20N60 là mosfet kênh N hay mosfet ngược, được đóng gói theo chuẩn TO-247

Mosfet 20N60 là Transistor hiệu ứng trường (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) là một Transistor  đặc biệt có cấu tạo và hoạt động khác với Transistor thông thường. Mosfet thường có công suất lớn hơn rất nhiều so với BJT, Mosfet 20N60 có công suất là 370W. Đối với tín hiệu 1 chiều thì nó coi như là 1 khóa đóng mở.

 Mosfet IRF 20N60

      Mosfet 20N60 có nguyên tắc hoạt động dựa trên hiệu ứng từ trường để tạo ra dòng điện, là linh kiện có trở kháng đầu vào lớn thích hợp cho khuyếch đại các nguồn tín hiệu yếu.  Mosfet 20N60 thích hợp trong các mạch điều khiển động cơ, UPS, hoạt động như một khóa đóng mở.

Mosfet IRF 20N60

Sau khi bạn đặt mua hàng, chúng tôi sẽ gọi lại cho bạn vào giờ hành chính để xác nhận lại đơn hàng, phí vận chuyển và thời gian giao hàng.

Liên hệ chi tiết mua hàng:

Địa chỉ cửa hàng Robocon: số 121 Bùi Xương Trạch – Khương Đình – Thanh Xuân – Hà Nội

Hotline: 0989583012 – 0989138391

Giao hàng toàn quốc – Giao hàng nội thành Hà Nội trong ngày.