MOSFET 11N60 (KÊNH N)

Tải về datasheet 11N60

    Thông số kỹ thuật:

        Điện áp đánh thủng: 600V.

Điện áp V_GS = +/-30V

Dòng chịu đựng trung bình: 11A.

Nhiệt độ hoạt động: -55^oC ~ 150^oC.

Công suất: 156W

Mosfet 11N60 là mosfet kênh N hay mosfet ngược, được đóng gói theo chuẩn TO-220

Mosfet 11N60 là Transistor hiệu ứng trường (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) là một Transistor  đặc biệt có cấu tạo và hoạt động khác với Transistor thông thường. Mosfet 11N60 có nguyên tắc hoạt động dựa trên hiệu ứng từ trường để tạo ra dòng điện, là linh kiện có trở kháng đầu vào lớn thích hợp cho khuyếch đại các nguồn tín hiệu yếu.

Mosfet 11N60

Mosfet 11N60

      Sau khi bạn đặt mua hàng, chúng tôi sẽ gọi lại cho bạn vào giờ hành chính để xác nhận lại đơn hàng, phí vận chuyển và thời gian giao hàng.

Liên hệ chi tiết mua hàng:

Địa chỉ cửa hàng Robocon: số 121 Bùi Xương Trạch – Khương Đình – Thanh Xuân – Hà Nội

Hotline: 0989583012 – 0989138391

Giao hàng toàn quốc – Giao hàng nội thành Hà Nội trong ngày